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技術情報サービス スピンエレクトロニクス分野
53．01 混載用超高速MRAMマクロの500MHz動作実証に成功
53．04 第23回スピンエレクトロニクス専門研究会「バイオ・分子スピントロニクス」
44．01 CoCrPtワイヤを用いてドメインウォールの電流駆動に成功
43．01 有限バイアス下でのスピン注入トルクの直接測定に成功
43．02 スピン注入磁化反転、微弱磁場下で精度良く制御できることを発見
42．02 垂直磁化方式のＭＴＪ素子で世界初動作
42．03 世界最高速250MHz・SRAM互換で動作するMRAMを開発
40．02 強磁性半導体(Ga,Mn)As中の磁壁運動に対する微弱電流と磁界の作用の違い
38．02 グラフェンスピントロニクス
37．02 膜面垂直通電型GMRヘッドの開発に成功（東芝）
37．04 MRAM実用化のためのダブルバリア垂直MTJ
34．01 国際ワークショップ「SPIN CURRENTS 2007」が開催
34．03 スパッタ形成されたNiFeポイントコンタクトで140%のMRを確認
33．02 2メガビットのスピン注入磁化反転RAMチップ試作に成功
32．02 MMM/Intermag 2007における分子スピントロニクス分野の講演から
31．02 フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合における大きな室温磁気抵抗効果
31．05 有機半導体バリア層を用いた磁気トンネル接合TMR効果を室温で発見
28．02 フリースケール社、４MビットMRAMを世界で初めて商用化
28．04 金属ナノ構造素子におけるスピンホール効果の観測
28．05 Mn拡散を抑制した高耐熱MTJ膜の開発
26．03 分子関連の国際会議における分子スピントロニクスの最新動向
25．02 東芝とNEC、256Mビット級MRAMの基盤技術を開発
24．03 バリウムフェライト磁性体を用いた磁気テープ媒体の開発
23．03 磁壁ダイナミクスの実時間観測
22．01 スピン流研究会：「金属と半導体における最近の発展」が開催された
21．01 東芝とNEC、16メガビットMRAMを開発
19．03 高集積・高速・低消費電力MRAMの実現に大きな期待
19．04 スピン注入磁気共鳴を利用したスピントルク・ダイオード
16．02 スピンエレクトロニクスに関する注目すべき報告相次ぐ
15．05 半導体系スピントロニクス素子における伝導現象を解明（http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2005/pr20050823/pr20050823.html(2005.8.23プレスリリース)）
11．02 MTJ素子のスピン注入磁化反転電流がかなり下がってきた。
10．02 強磁性半導体の強磁性の起源を軟X線磁気円二色性で調べる
10．04 特許庁「ＭＲＡＭ・スピンメモリ技術」に関する標準技術集公開
09．01 IBMが3次元高集積磁気メモリのアイデアを披露
09．02 NiOを用いた不揮発性メモリRRAMの試作
09．03 スピン発光ダイオードを用いたスピンホール効果の測定
09．05 ナノ構造と磁性に関する最近の話題
08．05 (Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As CPP構造素子において1.7Kで150,000パーセントのMRを観測
07．01 MRAMとスピン注入技術の進展
06．02 パーマロイ膜をPt膜で挟み込んだ膜にスピンダイナミクスが関与か
06．03 デュアル・スピンバルブ型のTMR素子でスピン注入磁化反転を実現
04．04 室温で230%のTMR比を示す素子がスパッタ法で作製可能に！
03．06 量産可能なディスクリートトラック磁気記録媒体
03．08 バルク状のアモルファス鋼
03．09 半導体スピントロニクスの国際会議が開催された
03．10 TMR素子におけるスピン注入磁化反転と半導体中への高効率スピン注入
02．02 新機能スピントロニクス素子：強磁性ロジック回路素子
02．04 スピンポンピングによるスピンバルブ膜のαパラメータの増大
02．05 TMR効果における波動関数の対称性の重要性
01．02 CPPスピンバルブの特性にスピン注入磁化反転効果が影響
01．05 超高速磁気メモリの可能性：ピコ秒レンジのスピン再配列現象
01．09 単結晶Fe/MgO/Fe磁気トンネル素子で大信号出力の確認